Время вперёд
Nov. 14th, 2012 02:04 amЭверспин анонсировало выход в первого ST-MRAM-чипа, причём со стадартным DDR3-интерфейсом (3.2 гигабайт/сек, ultra-low latency) по 128 мегабайт на плашке (догонять DRAM по ёмкости осталось всего в 16 раз!), так что сразу можно встраивать в качестве оперативной памяти, при этом энергонезависимой. Первые образцы уже у избранных покупателей, серийное производство вот-вот начнётся. Ячейки компактные: по одному транзистору и одному магнитному тунельному переходу на ячейку. На данный момент используется устаревший фаб, но имеющиеся компоненты тривиально скейлятся до 20 нм, что даст возможость догнать DRAM, а возможно и флеш/SSD.