Оптическая фотолитография до упора в наноэлектронику!

Профессор Хелл (Гёттингенская лаборатория нанофотоники) снова отличился. На базе его STED-технологии в MIT смогли разработать методику быстрой фотолитографии с разрешением 1/8 длинны волны без использования multiple patterning. При помощи недорогого апгрейда существующих сейчас фабов это позволить делать 24nm-професс на совершенно стандартном 192nm ультрафиолете вообще без double patterning или 10 nm с multiple patterning, т.е. до упора технологии на базе кристаллического кремния — 10 нм это 20 атомов кремния, при регулярной химически-однородной структуре из меньшего количества атомных слоёв группы транзистор не сделать.