(no subject)
Mar. 10th, 2011 07:52 pmPTB разработали и вроде как запатентовали новую технологию MRAM, обеспечивающую задержку записи < 0.5 ns при диаметре ячейки всего в 120 нанометров. Ищут партнёров для промышленного изготовления. Если им это достаточно быстро удастся это будет просто мечта. Ведь 0.5 ns это задержка современных кешей первого уровня. Это синхронная запись с частотой 2 GHz при полной энергонезависимости и малой термоотдаче. А по линейным размерам эта хрень может смело конкурировать и с SDRAM'ом и флеш-памятью.
Но, боюсь, может помешать цена. Производство флеша и сдрама налажено, а производственные линии для MRAM'а нужно ставить с нуля, такие инвестиции не факт, что вообще найдутся, а если и найдутся, могут повлечь за собой такую цену продукта, что до обычных пользователей он никогда не доберётся.. Было бы крайне жалко.
Но, боюсь, может помешать цена. Производство флеша и сдрама налажено, а производственные линии для MRAM'а нужно ставить с нуля, такие инвестиции не факт, что вообще найдутся, а если и найдутся, могут повлечь за собой такую цену продукта, что до обычных пользователей он никогда не доберётся.. Было бы крайне жалко.